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中子导管将冷中子束从冷源引出至散射大厅．为保证大厅工作人员的安全，提供低本底实验环境，必须设计相应的屏蔽体进行屏蔽。在已有中子导管屏蔽体初步结构设计方案的条件下，联合McStas、MCNP，采用分段计算的方法对其进行了屏蔽计算，得到了散射大厅内中子导管周围不同位置处的辐射剂量率，验证了中子导管屏蔽体结构设计方案的有效性，为进一步开展工程设计提供了依据。