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Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lovegoodone

【摘 要】

：

详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGe/Si量子阱价带量

【作 者】

：

林桂江 周志文 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中 

【机 构】

：

厦门大学物理系,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室

【出 处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

硅锗材料 量子级联激光器 子带跃迁 k·p方法 

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详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGe/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGexSi量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.

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