利用雪崩倍增过程在CH3NH3PbI3中实现电致发光

来源 :中国金属通报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xingchen1023
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本文采取了一种生长高质量CH3NH3PbI3层的方法,设计并构建了Au/SiO2/CH3NH3PbI3/ZnO/In结构的器件。在正向电压下,载流子在SiO2中碰撞离化并发生倍增,倍增产生的空穴注入到CH3NH3PbI3层中与从ZnO层中注入的电子发生辐射复合,观察到明显的发光光谱,证实了这种通过载流子倍增方式实现发光的可行性,提供了一种无需有机载流子注入层即可实现发光的有效方式。
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