【摘 要】
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详细研究了温度在0.1～1650eV范围内类钯Xe8＋离子的DR过程。详细计算了4d、4p和4s壳层电子激发到4f和5l壳层的DR速率系数,通过比较4d、4p和4s壳层电子激发的DR速率系数,发现在中
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详细研究了温度在0.1～1650eV范围内类钯Xe8＋离子的DR过程。详细计算了4d、4p和4s壳层电子激发到4f和5l壳层的DR速率系数,通过比较4d、4p和4s壳层电子激发的DR速率系数,发现在中低温时,4d电子激发的DR速率数最大,在高温时,内壳层4p和4s电子激发对总DR速率系数有重要的贡献。
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