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利用化学干法刻蚀各向同性的特点，本文主要研究化学干法刻蚀中不同的O2／CF4比例对Mo、SiNx和光刻胶刻蚀速率的影响。最后，选用合适的O2／CF4比例在TFT—LCD阵列基板上进行刻孔实验。
化学干法刻蚀在TFT-LCD工艺中的应用
【摘 要】
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利用化学干法刻蚀各向同性的特点，本文主要研究化学干法刻蚀中不同的O2／CF4比例对Mo、SiNx和光刻胶刻蚀速率的影响。最后，选用合适的O2／CF4比例在TFT—LCD阵列基板上进行刻孔实验
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林北方彩晶数码电子有限公司
【出 处】
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现代显示
【发表日期】
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2006年12期
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