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基于人工晶体的导模法生长技术，设计了提拉位移法和坩埚旋转法两种生长方法，分析了直接生长蓝宝石整流罩的生长原理，建立了晶体生长高度和生长半径的状态方程。结果表明，通过理论参数和实际采样值之间的对比调整，这两种方法均可实现蓝宝石整流罩的直接生长。
直接生长蓝宝石整流罩的方法研究
【摘 要】
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基于人工晶体的导模法生长技术，设计了提拉位移法和坩埚旋转法两种生长方法，分析了直接生长蓝宝石整流罩的生长原理，建立了晶体生长高度和生长半径的状态方程。结果表明，通过理论
【机 构】
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中国电子科技集团公司第26研究所
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2014年4期
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