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为了能以低成本生产优质大型单晶硅,笔者提出了单晶种铸造技术。这项技术的实施,必须解决两个问题,即坩埚壁上的多晶成核问题和晶体内的位错增殖问题。在本文中,笔者尝试通过数值分析法来解决这两个问题。根据数值分析得出的优化熔炉结构和工况进行了实验,在实验中采用单晶种铸造技术来生长单晶硅。实验结果表明,该技术远优于常用的高性能多晶和准单晶铸造技术。