GaN MOSFET的设计制作及其表征

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探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析。实验结果表明,采用掺杂AlGaN异质结结构的GaN MOSFET,其沟道迁移率达到151.1cm2·V-1·s-1,界面态密度达1.31×1011个/(cm2·eV),是一种较理想的GaN MOSFET结构。
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