【摘 要】
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据《SolidState Tech.》2009年7/8期报道,比利时IMEC公司院士MareHeyns认为下一代晶体管中很可能采用锗和-族材料作为高迁移率沟道。在高迁移率沟道或量子阱Ge/-晶体管之后,
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据《SolidState Tech.》2009年7/8期报道,比利时IMEC公司院士MareHeyns认为下一代晶体管中很可能采用锗和-族材料作为高迁移率沟道。在高迁移率沟道或量子阱Ge/-晶体管之后,在向10nm节点器件发展的过程中,很可能会采用碳纳米管(CNT)互连和石墨烯这样的先进材料。石墨烯是一种零
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