【摘 要】
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采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化层工艺质量的影响,特别是对栅氧化层固定电
【机 构】
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株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心(Lincoln分中心),
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采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化层工艺质量的影响,特别是对栅氧化层固定电荷和界面陷阱电荷的影响。研究结果表明:在1 0001 150℃温度区间,非掺氯干氧通过高温氮气退火处理可获得好的固定电荷密度（Nss）特性,氧化温度对Nss影响很小,但对于掺氯干氧,当氧化温度超过1 050℃时,Nss会明显增大;通过450℃氢退火处理,可将干氧的界面陷阱电荷密度(Dit)控制在较低范围内,氧化温度和氯源对干氧的Dit影响不明显;在8501 000℃温度区间,湿氧无法通过高温氮气退火和450℃氢退火处理而同时获得好的Nss和Dit特性,氧化温度和氯源对Nss和D(it的影响较干氧的明显。
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