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对单个MTM（Metal-to-Metal）反熔丝单元的总剂量辐照效应进行了研究，模拟可编程器件实际应用环境，通过对不同尺寸、不同状态的MTM反熔丝单元在不同的偏置情况下进行总剂量辐照（总剂量达2 Mrad（Si）），得到MTM反熔丝单元关键参数随总剂量的变化情况。通过实验及数据分析，最终得到结论：MTM反熔丝单元不会因总剂量辐照而发生状态翻转。