【摘 要】
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本文采用介电连续模型,讨论了晶格应变对材料的体光学声子频率、介电常数、禁带宽度和电子带质量的影响.对GaN/GaxIn1-xN异质结中材料的界面声子频率随晶格应变的变化关系进
【机 构】
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内蒙古科技大学数理与生物工程学院,
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本文采用介电连续模型,讨论了晶格应变对材料的体光学声子频率、介电常数、禁带宽度和电子带质量的影响.对GaN/GaxIn1-xN异质结中材料的界面声子频率随晶格应变的变化关系进行了数值计算.结果显示,应变对该异质结的界面声子频率有一定的影响。
In this paper, the effect of lattice strain on the bulk optical phonon frequency, dielectric constant, forbidden band width and electronic band quality of the GaN / GaxIn1-xN heterojunction is discussed in this paper. The frequency dependence of lattice strain is numerically calculated and the results show that the strain has a certain influence on the interface phonon frequency of the heterojunction.
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