fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件

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【摘要】

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报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽12

【作者】

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郝跃岳远征冯倩张进城马晓华倪金玉

【机构】

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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

AlGaN/GaN MOS-HEMT 超薄Al2O3 AlGaN/GaN MOS-HEMT ultrathin Al2O3

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划);

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报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.

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