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通过设计5 V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响。通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1 V,各项动态参数均满足产品要求。完成了5 V双向TVS器件击穿电压对称性的优化,各项参数均满足产品要求。
5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计
【摘 要】
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通过设计5 V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响。通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1 V,各项动态参数均满足产品要
【机 构】
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无锡中微晶园电子有限公司
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2020年10期
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