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引起衍射线条宽化的不仅是微晶和第Ⅱ类(微观)应力,还有层错/孪生和位错。围绕着如何分离这种多(二、三乃至四)重宽化效应和如何求解微晶尺度、微观应变(力)、层错几率、层错密度和位错分布参数等,发展了一系列线形分析方法。从线形卷积关系、微晶-微应变宽化线形分析、微晶-微应力-层错宽化线形分析和微晶-层错-位错宽化线形分析共4个部分介绍了线形分析技术的发展和应用,以及笔者近十年进行的某些研究工作。