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采用电化学阳极氧化法，将预光刻图案的P型硅片制备成阵列多孔硅。讨论电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅形貌的影响。结果表明：随着HF浓度、电流密度、阳极氧化时间的增大，阵列多孔硅的孔深逐渐加大；当HF：C2H5OH：H2O（体积比）为1：1：1～1：2：5，电流密度为1．56mA．／cm^2，阳极氧化时间为3h时，制备出的阵列多孔硅具有比较规整的阵列孔，并且孔深能够达到50μm；表面活性剂对阵列孔的形成有很大影响，加入表面活性剂后形成的孔才具有一定的规整性以及深宽比。