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温度误差是MEMS（Micro Electronic Mechanical System）陀螺仪的主要误差源之一，为了消除温度对内框架驱动式硅MEMS陀螺仪性能的影响，提出了一种改进的温度误差模型．基于硅材料的赛贝克（Seebeek）效应，结合表头温度变形，分析了陀螺仪零偏误差；利用温度引起的干扰力矩，分析了陀螺仪输出与比力及角加速度有关项误差；针对温度引起系统谐振频率的变化，分析了陀螺仪标度因数误差．试验结果表明：在温度变化过程中，比力引起的干扰力矩是导致陀螺仪温度误差的主要因素，验证了改进的温度误差模