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建立了Double-RESURF结构高压LDMOS器件的MOS＋VCR（Voltage Control Re-sistance）电路模型。通过分析Double-RESURF LDMOS器件的结构与输入输出特性,得到漂移区电阻的解析式;借助泰勒展式,得到VCR的高阶压控模型,从而建立LDMOS器件的SPICE模型。该模型的解析解和数值解符合良好,而且体现出高压LDMOS的准饱和特性。模型的建立可以很好地指导LDMOS器件的工程应用。