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平面型VDMOS在制作源区时,常规做法是利用掩模板进行一次光刻,然后再进行源区注入。提出3种其他的制作方式,在保证器件电学性能的前提下,可节约一次光刻。诸如,通过刻蚀硅孔将源区与P型体区短接,或者利用厚氧化层阻挡部分源区注入的方式,利用多重侧墙阻挡注入的方式。3种办法各有优缺点,都可供在生产中选择。