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本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷（A中心）的退火行为。实验发现，经200℃热处理后样品中均会出现V2O（840cm^-1）和VO2（919．6cm^-1）的红外吸收峰；当退火温度升高到400至450oC之间，在低剂量辐照样品（SL）的红外吸收光谱中会有较强的VO2（889cm^-1）的吸收峰，而在高剂量辐照样品（s8）中则会有较强的V2O2（825cm^-1）和vow（9t9．6cm^-1）的吸收峰。分析认为，在低剂量辐照样品中VO主要是通过与O1结合形成稳定的VO2而消