【摘 要】
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InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料理论上性能优于HgCdTe、InSb等红外探测材料,基于成熟的Ⅲ-V族化合物材料与器件工艺,使得Ⅱ型超晶格材料容易满足均匀大面阵、双色或多色集成等红外
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InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料理论上性能优于HgCdTe、InSb等红外探测材料,基于成熟的Ⅲ-V族化合物材料与器件工艺,使得Ⅱ型超晶格材料容易满足均匀大面阵、双色或多色集成等红外探测器的要求,因而InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料将逐步替代HgCdTe、InSb等材料成为第三代红外探测器的首选材料。本文阐述了InAs/GaSb超晶格红外探测器的基本原理、以及材料生长和器件结构,并对其研究进展进行了综述性介绍。
InAs / GaSb type II superlattice materials are superior to those of HgCdTe, InSb and other infrared detection materials in theory. Based on mature III-V compound materials and device processes, type II superlattice materials can easily meet the requirements of uniform large area array, Or multi-color integrated infrared detector requirements, thus InAs / GaSb Ⅱ type superlattice material will gradually replace HgCdTe, InSb and other materials as the third-generation infrared detector of choice for the material. This paper describes the basic principles of InAs / GaSb superlattice infrared detectors, as well as material growth and device structure, and its research progress is reviewed.
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