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本文利用容性放电模式（E-mode）的电感耦合等离子体（ICP）化学气相沉积技术,在低温（100℃）下采用硅烷（Si H4）、氮气（N2）和氢气（H2）作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜（Si Nx∶H）,并通过傅里叶红外光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和X射线光电子能谱仪（XPS）对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征。采用少子寿命测试仪（Sinton WCT-120）研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果。结果表明,氮硅原子比为0.4的Si N0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好。最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 m V。