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对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1-2个数量级,得到了预期的数据和结果.这些工作为商用器件的空间开拓使用提供了很好的途径.
二次包封CMOS器件电子辐照实验研究
【摘 要】
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对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1-2个数量级,得
【机 构】
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骊山微电子公司,西北核技术研究所
【出 处】
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空间科学学报
【发表日期】
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2003年5期
【基金项目】
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航天部航天创新项目
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