【摘 要】
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采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似的PBE平面波超软赝势方法计算了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和CuIn1-xAlxSe2(CIAS)的电子结构及光学性质.计算结果表明黄铜矿型CIGS和C
【机 构】
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河南师范大学物理与信息工程学院,河南省光伏材料重点实验室
【基金项目】
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河南省重大科技攻关项目(批准号:092102210018), 河南省教育厅自然科学研究计划项目(2010B140008,2011A140016), 河南师范大学青年科研基金(01026400017)
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采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似的PBE平面波超软赝势方法计算了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和CuIn1-xAlxSe2(CIAS)的电子结构及光学性质.计算结果表明黄铜矿型CIGS和CIAS都是直接带隙半导体材料,禁带宽度分别为1.34 eV,1.50 eV.计算并对比分析了CIGS和CIAS的态密度,吸收系数,反射率,复介电函数和折射指数随光子能量的变化关系.结果表明CIAS的禁带宽度偏大,导致了它的吸收光谱和复介电函数虚部相对于CIGS发生了蓝移,并且反射率较低.
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