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采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层GdxSi1-x表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着半导体的属性,磁性-非磁性p-n结具有整流特性,但没有观察到明显的磁电阻效应.
Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究
【摘 要】
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采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层GdxSi1-x表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
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