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在前期工作基础上，研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同，并进一步导致薄膜电学性能的差异。对薄膜电容-电压特性的分析表明，沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小，而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量。最终结果显示，采用合适的反应气体组合（QN2=1.0sccm，Qo2=1.0sccm）制得的SiOxNy薄膜具有较低的体缺陷密度和较好的界面质量，适合于MOS栅介质领域的应用。