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采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,探索性研究制备μc-Ge：H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge：H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。
宽光谱窄带隙太阳电池微晶锗孵化层制备研究
【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,探索性研究制备μc-Ge：H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge：H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的
【机 构】
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国家知识产权局专利局专利审查天津中心
【出 处】
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科学技术创新
【发表日期】
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2018年27期
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