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对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F—N热载流子注入损伤实验，研究了MOSFET跨导、粤电压等参数随热载流子注入的退化规律，特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度，对国内外较少见报道的MOSFET热载流子损伤在室温和高温（100℃）下的退火特性进行了研究，并从该角度探讨了MOSFET热载流子注入产生氧化物电荷和界面态的特性。