【摘 要】
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采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外延片解理成 30 0 μm× 30 0 μm管芯后 ,在
【机 构】
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华南师范大学量子电子学研究所MOCVD室,华南师范大学量子电子学研究所MOCVD室,华南师范大学量子电子学研究所MOCVD室,华南师范大学量子电子学研究所MOCVD室,华南师范大学量子电子学研究所MO
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采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外延片解理成 30 0 μm× 30 0 μm管芯后 ,在 2 0mA的电流注入情况下 ,得到的发光波长峰值 6 48nm ,平均亮度 38.9mcd ,最高亮度达到4 9.8mcd ,封装成发射角为 15°的LED灯 ,平均亮度达到 2 0 0 0mcd。
Twenty-two InGaP / GaAlInP multiple quantum well (MQW) red light-emitting diodes (LEDs) were grown on the basis of the particularly improved growth of GaAlInP materials by using turbo-LP MOCVD epitaxy. After the epitaxial wafer is cleaved into a 30 μm × 30 0 μm die, the peak wavelength of the emitted light is 6 48 nm, the average brightness is 38.9 mcd and the maximum brightness is 4 9.8 mcd at a current injection of 20 mA, and the emission angle is 15 ° LED lights, the average brightness of 2 0 0 0 cd.
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