为了提高磷酸二氢钾(KH2PO4,KDP)晶体飞切加工表面质量及抗激光损伤能力,本文对KDP晶体表面典型缺陷的形成原因及抑制方法进行了研究。根据KDP晶体飞切加工表面缺陷的形貌、尺寸及元素组成特征,提出了不同类型表面缺陷的形成原因。通过飞切加工实验及表面染色切削实验证明了成因分析结果的正确性,进一步明确了KDP晶体表面缺陷的形成过程。建立了适用于描述KDP晶体表面缺陷形成过程的理论模型,提出了获得无缺陷晶体表面的工艺条件。根据分析结果对飞切加工参数及刀具结构进行了优化,并开展飞切加工实验验证了缺陷抑制措施的有效性。实验结果表明,飞切条件下KDP晶体(001)晶面的脆塑转变深度变化范围为125nm~268nm,当沿45°方向切削时脆塑转变深度最大,此时只要保证进给量小于36.6μm/r即可避免在晶体表面形成凹坑。此外,通过优化刀具结构可消除晶体表面的凸起缺陷,并最终获得了粗糙度Ra小于2nm的光滑KDP晶体表面。因此,采用本文提出的方法可对KDP晶体表面缺陷进行有效抑制。