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用第一性原理的赝势方法,计算了B和Al掺杂ZnS的电子结构差异。根据计算,掺杂时B原子p态在导带底附近形成高度局域态,而Al原子p态则较为离域;B和Al原子的s态均具有较好的离域性。以上结果表明,从获得n型导电性的角度而言,Al掺杂优于B掺杂。
B/Al掺杂ZnS电子结构的第一性原理研究
【摘 要】
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用第一性原理的赝势方法,计算了B和Al掺杂ZnS的电子结构差异。根据计算,掺杂时B原子p态在导带底附近形成高度局域态,而Al原子p态则较为离域;B和Al原子的s态均具有较好的离域
【机 构】
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安徽建筑工业学院数理系
【出 处】
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安徽建筑工业学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2011年1期
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