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阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.
论位错的稳定存在
【摘 要】
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阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.
【机 构】
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西北核技术研究所
【出 处】
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稀有金属材料与工程
【发表日期】
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2002年2期
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