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随着超大规模集成电路制造进入深亚微米时代,版图上相邻特征区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大。交替型相移掩模技术通过将相邻区域的相位进行180°反转,使干涉效应互相抵消,从而被认为是提高光刻分辨率最实用的技术之一。我们以当今的最新研究成果为基础,开发了一个用于暗域交替型相移掩模设计技术的CAD原型系统。为应对随版图尺寸呈指数增加的相位冲突,还提出了一个自适应粒度的划分方法,以减少计算时间。该算法和原型系统的有效性在多个不同尺寸的实际版图上得到了成功的验证。