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用等离子化学气相淀积法在Ｓｉ基底上制备氮化硅薄膜，通过红外吸收光谱研究分析了薄膜中的成分及键结构。
PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析
【摘 要】
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用等离子化学气相淀积法在Ｓｉ基底上制备氮化硅薄膜，通过红外吸收光谱研究分析了薄膜中的成分及键结构。
【机 构】
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烟台师范学院物理系,264025
【出 处】
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烟台师范学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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1999年4期
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