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本文在无紫外光照射下通过电化学腐蚀法制备了多孔n型15R-及6H—SiC，并用扫描电子显微镜（SEM），拉曼散射及X射线衍射仪（XRD）对多孔层的结构进行了分析。结果表明：晶体的晶型及氧化条件等因素对多孔结构有较大影响。首次观察到多孔n型15-SiC的半圆管状结构，其孔隙率约是66％。
无紫外光照射下n型15R—SiC及6H—SiC晶体的电化学腐蚀
【摘 要】
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本文在无紫外光照射下通过电化学腐蚀法制备了多孔n型15R-及6H—SiC，并用扫描电子显微镜（SEM），拉曼散射及X射线衍射仪（XRD）对多孔层的结构进行了分析。结果表明：晶体的晶型及氧化条
【机 构】
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南开大学物理科学学院,南开大学信息技术科学学院,中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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光散射学报
【发表日期】
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2007年4期
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