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利用数值模拟仿真对GaN MESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明，在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高，当栅脉冲电压为-18V时可达6223K，并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度（300K）达到一致。同时还发现，电子温度与电场方向和电子电流方向密切相关，电子温度的最高，最并不在电场的极大值处，而是在电场方向与电子电流方向一致之处。