【摘 要】
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为探究不同单轴应变条件时碱土金属氧化物CaO和SrO晶体材料电子结构和光学性质的影响，采用第一性原理计算方法，利用密度泛函近似理论，对晶体的能带结构、态密度和介电函数进行计
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为探究不同单轴应变条件时碱土金属氧化物CaO和SrO晶体材料电子结构和光学性质的影响，采用第一性原理计算方法，利用密度泛函近似理论，对晶体的能带结构、态密度和介电函数进行计算，并利用克喇末一克朗尼格关系得出晶体的光学常数．研究结果表明：无应变时，CaO和SrO晶体是宽禁带且具有直接带隙的铯缘体，施加单轴应变使晶体带隙的宽度变窄，导电性能增强，且单轴压应变对晶体电子结构的影响比拉应变对晶体电子结构影响明显．2种晶体均为各向同性材料，单轴拉应变使静介电常数变大，单轴压应变使静介电常数变小．光子能量在0～15e
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