在(311)面上所生长的AlxGa1—xAs/GaAs单量子阱特性

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wjw842008
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文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作了比较。讨论了(311)A和(311)B面上的不同生长特性。
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