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通过化学气相沉积法在单晶GaAs衬底上成功生长了BNxP1-x薄膜材料.利用扫描电镜观察到该薄膜表面十分光滑,其生长层与衬底之间具有良好的粘合性,不容易脱落.利用紫外-可见光分光光度计(UV)研究了薄膜的紫外吸收特性.并测量出在254nm和365nm波段其量子效率分别为33%和40%,当波长大于400nm时,其量子效率陡然下降.经研究证明:BNxP1-x作为一种宽带隙半导体材料在日盲型紫外探测领域中具有极大的潜能.