论文部分内容阅读
运用广义梯度密度泛函理论(GGA)的PBE方法结合周期平板模型,计算了SiCl4,SiHCl3,H2,HCl在Si(111)表面的垂直吸附能和吸附结构。发现SiCl4,SiHCl3和Si衬底表面原子间的吸附结构不稳定,相比之下SiCl4,SiHCl3分子都容易吸附在凸起的Si原子上。衬底对SiHCl3的吸附能要大于对SiCl4的。SiCl4和SiHCl3分子断开1个Si Cl键后更容易吸附在Si(111)表面的悬挂键上。H2在Si(111)表面的2个位置的吸附能比较接近,HCl倾向于以H端吸附在电荷多的表