【摘 要】
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采用分子束外延技术在GaAs缓冲层上沉积Ga液滴,探究溶蚀时间对Ga液滴形貌的影响.实验中溶蚀阶段的衬底温度为340℃,沉积6单原子层Ga液滴,在无As环境下分别溶蚀5、10和12.5 mi
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳550025贵州财经大学计算机信息学院 贵阳550004;
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采用分子束外延技术在GaAs缓冲层上沉积Ga液滴,探究溶蚀时间对Ga液滴形貌的影响.实验中溶蚀阶段的衬底温度为340℃,沉积6单原子层Ga液滴,在无As环境下分别溶蚀5、10和12.5 min,待达到溶蚀时间后打开As阀,快速晶化Ga液滴.实验发现在低温、低沉积量的情况下,在溶蚀阶段Ga液滴并没有表现出在高温条件下的熟化现象而是进行一种原位的扩散.随着溶蚀时间的增加,液滴形貌逐渐由环盘结构向孔洞结构转变,内环的生长也表现出各向异性,倾向于沿[110]方向生长.随着溶蚀时间的延长内环的生长将集中于[110]方向的一边上,其高度明显高于其余三边.[110]方向上内环的高度差随溶蚀时间的增加而增加,但增速变缓.本文分析了这些现象的原因,并提出了Ga液滴在溶蚀阶段形貌演变的模型.
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