【摘 要】
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在5G通信时代，体声波（BAW）滤波器件成为实现高性能射频（RF）滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术和专利被少数几家公司持有的大环境下，对压电薄膜生长、器件的制备工艺等方面进行突破，形成独有的BAW器件技术路线显得尤为重要。本文综述了AlN薄膜的生长、AlN材料在BAW滤波器件的发展、基于AlN的BAW器件的制备及其应用。在国内研究者的努力下，基于单晶
【基金项目】
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广东省重点领域研发计划（2019B010129001）；
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在5G通信时代，体声波（BAW）滤波器件成为实现高性能射频（RF）滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术和专利被少数几家公司持有的大环境下，对压电薄膜生长、器件的制备工艺等方面进行突破，形成独有的BAW器件技术路线显得尤为重要。本文综述了AlN薄膜的生长、AlN材料在BAW滤波器件的发展、基于AlN的BAW器件的制备及其应用。在国内研究者的努力下，基于单晶AlN的体声波谐振器（SABAR）器件，通过在材料生长方法及制备工艺上的独立自主创新，不仅使BAW滤波器件的性能得到了进一步提升，也给受到国外掣肘的国内射频滤波行业带来了一条摆脱国外“卡脖子”问题的新路线。
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