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本发明属于液相外延制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体电子材料领域，涉及一种对从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法的改进。在废镓中加入浮游剂去除其中的Zn、As、Te等蒸气压高的杂质。用本发明回收高纯金属镓的杂质含量小于3μg／g，用其生产的外延片的基本参数与采用日本进口高纯镓一致。对液相外延后的废液回收和再利用大幅度降低LED成本，