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采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
【摘 要】
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采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主
【机 构】
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北京工业大学
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2004年z1期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1)
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