溴氧化镧的缺陷发光

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用高温固相法合成了具有缺陷发光的溴氧化镧基质.对样品进行了X-射线衍射、荧光光谱和热释光谱的测试.荧光光谱分析得出在1000℃合成溴氧化镧基质在350 nm到500 nm存在两个宽带发射,通过与LaOF、LaOCl的荧光光谱和热释光谱对比,得出溴氧化镧基质的发光归结于溴的缺陷,通过计算发现两种不同类型的缺陷能级分别为0.74 eV,0.70 eV.
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