【摘 要】
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设计了一款应用于有源相控阵雷达T/R组件的X波段功率放大器,放大器采用单端两级放大的共源共栅结构,包括输入与输出匹配网络,偏置电路采用自适应线性化技术,实现高增益和高线
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设计了一款应用于有源相控阵雷达T/R组件的X波段功率放大器,放大器采用单端两级放大的共源共栅结构,包括输入与输出匹配网络,偏置电路采用自适应线性化技术,实现高增益和高线性的输出。基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS 7WL工艺流片,测试结果表明,在3.3 V电源电压下,在8.5 GHz时增益为21.8 d B,1 d B压缩点输出功率为10.4 d Bm,输入输出匹配良好,芯片面积为1.4 mm×0.8 mm。芯片面积较小,实现了与整个T/R芯片的集成。
An X-band power amplifier is designed for active phased array radar T / R components. The amplifier uses single-ended and two-stage cascode structure, including input and output matching network. The bias circuit adopts adaptive linear Technology to achieve high gain and high linearity output. Based on the IBM 0.18μm SiGe Bi CMOS 7WL process chip, the test results show that the gain is 21.8d B at 8.5 GHz at 3.3V supply voltage, and the output power at 1 d B compression point is 10.4 d Bm. The input and output match well , The chip area is 1.4 mm × 0.8 mm. Small chip area, with the entire T / R chip integration.
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