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采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜，研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大，Ti膜沉积速率分三个阶段变化：0～-40V之间沉积速率基本不变;-40～-80V之间沉积速率迅速降低;超过-80V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。Ti膜密度随偏压增加而增大，负偏压为-119.1V时开始饱和并趋于块体Ti材密度。加负偏压能够抑制Ti膜的柱状生长方式；偏压可以改善Ti膜的表面形貌，对于40W和100W的溅射功率，负偏压分别在-100V和-80V左右时制备出表面光