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利用脉冲激光沉积（PLD），制备了La2／3 Sr1／3 MnO3（LSMO）薄膜．然后在120keV的能量下，进行了不同剂量（1.0×10^12ion／cm^2－1.0×10^17ion／cm^2）的H2^＋离子对LSMO薄膜的注入研究。随着注入剂量的增加，膜的电阻逐渐变大，其L转变温度往低温方向变化。当剂量大于等于3.0×10^16ion／cm^2时，LSMO薄膜具有了类似半导体的导电行为。X射线衍射（XRD）分析发现：特征峰的位置随着剂量的增加而往低的角度偏移，并且当剂