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本文介绍了采用金属氧化物法制备的MgCuZn软磁铁氧体材料,它通过在MgZn铁氧体配方中添加一定量的氧化铜和适当提高氧化锌比例的方法,获得抗EMI材料所应具备的较高磁导率、较好的阻抗频率特性和高居里温度等特点,可广泛替代价格日益昂贵的NiZn/NiCuZn软磁铁氧体,制造抗EMI磁芯和器件。