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在有效质量近似框架下，通过求解AlxGa1-xN／GaN自组织圆柱形量子点的薛定谔方程，计算了量子点中导带电子在两个正交方向：Z1和Z⊥方向上产生的三阶非线性极化率．计算中，电子的运动受到自组织量子点的抛物型束缚势和内建压电场的影响．计算表明，量子点的三阶非线性极化率的数量级达到了10^-14m^2／V^2．进一步在ZⅡ和Z⊥方向上，考察了三阶非线性极化率与两个方向上的抛物束缚势的频率ωp、ωz，量子点的高度L，半径R，Al的含量x之间的关系．